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Rohm Semiconductor BSM180D12P3C007
| Numero di parte | BSM180D12P3C007 |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Pacchetto/custodia | - |
| Descrizione | SIC POWER MODULE |
| In magazzino | Possiamo spedire immediatamente |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Foglio degli appuntamenti | BSM180D12P3C007 Foglio degli appuntamenti |
| Garanzia | Nuovo e originale |
| Categoria | prodotti semiconduttori discreti |
| Filtro | transistor - fet, mosfet - array |
Richiesta rapida
BSM180D12P3C007 Specifiche
| Numero di parte: | BSM180D12P3C007 |
| Marca: | Rohm Semiconductor |
| Ciclo vitale: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Categoria: | prodotti semiconduttori discreti |
| Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - array |
| Produttore: | Rohm Semiconductor |
| Senza alogeno: | Satisfy |
| Popolarità: | High popularity |
| Domanda e offerta: | Sufficient |
| Parti alternative: | E-mail Us / Technical Support |
| stato della parte: | Active |
| tipo fet: | 2 N-Channel (Dual) |
| funzione fet: | Silicon Carbide (SiC) |
| tensione da drenaggio a sorgente (vdss): | 1200V (1.2kV) |
| corrente - consumo continuo (id) @ 25°c: | 180A (Tc) |
| rds su (max) @ id, vgs: | - |
| vgs(th) (max) @ id: | 5.6V @ 50mA |
| carica gate (qg) (max) @ vgs: | - |
| capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 900pF @ 10V |
| potenza - max: | 880W |
| temperatura di esercizio: | 175°C (TJ) |
| tipo di montaggio: | Surface Mount |
| pacchetto/caso: | Module |
| pacchetto del dispositivo del fornitore: | Module |
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