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Microsemi Corporation APTC60DDAM35T3G
| Numero di parte | APTC60DDAM35T3G |
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Pacchetto/custodia | - |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3 |
| In magazzino | Possiamo spedire immediatamente |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Foglio degli appuntamenti | APTC60DDAM35T3G Foglio degli appuntamenti |
| Garanzia | Nuovo e originale |
| Categoria | prodotti semiconduttori discreti |
| Filtro | transistor - fet, mosfet - array |
Richiesta rapida
APTC60DDAM35T3G Specifiche
| Numero di parte: | APTC60DDAM35T3G |
| Marca: | Microsemi Corporation |
| Ciclo vitale: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Categoria: | prodotti semiconduttori discreti |
| Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - array |
| Produttore: | Microsemi Corporation |
| Senza alogeno: | Satisfy |
| Popolarità: | High popularity |
| Domanda e offerta: | Sufficient |
| Parti alternative: | E-mail Us / Technical Support |
| stato della parte: | Active |
| tipo fet: | 2 N-Channel (Dual) |
| funzione fet: | Standard |
| tensione da drenaggio a sorgente (vdss): | 600V |
| corrente - consumo continuo (id) @ 25°c: | 72A |
| rds su (max) @ id, vgs: | 35 mOhm @ 72A, 10V |
| vgs(th) (max) @ id: | 3.9V @ 5.4mA |
| carica gate (qg) (max) @ vgs: | 518nC @ 10V |
| capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 14000pF @ 25V |
| potenza - max: | 416W |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| tipo di montaggio: | Chassis Mount |
| pacchetto/caso: | SP3 |
| pacchetto del dispositivo del fornitore: | SP3 |
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